🔥🔥 Don’t Miss Out on Our End of Autumn Sale. If you have any questions, feel free to click the bottom right corner to contact our customer service..

Concat us[email protected]
Shopping Cart

No products in the cart.

🔍
IEEE IEC 62704 3 2017

IEEE IEC 62704 3 2017

$52.54

Determining the Peak Spatial-Average Specific Absorption Rate (SAR) in the Human Body from Wireless Communications Devices, 30 MHz – 6 GHz Part 3: Specific Requirements for Using the Finite Difference Time Domain (FDTD) Method for SAR Calculations of Mobile Phones

Published By Publication Date Number of Pages
IEEE 2017 76
PDF Format Searchable Printable Preview Now
Guaranteed Safe Checkout
Category:

If you have any questions, feel free to reach out to our online customer service team by clicking on the bottom right corner. We’re here to assist you 24/7.
Email:[email protected]

New IEEE Standard – Active.

PDF Catalog

PDF Pages PDF Title
4 English
CONTENTS
7 FOREWORD
9 INTRODUCTION
10 1 Scope
2 Normative references
11 3 Terms and definitions
4 Abbreviated terms
12 5 Simulation procedure
5.1 General
5.2 General considerations
5.3 General mesh settings
5.4 Simulation parameters
5.5 DUT model
5.5.1 General
14 5.5.2 Antenna
5.5.3 RF source
Figures
Figure 1 – An example of a multi-band antenna consisting of two metallic elements for the GSM and UMTS frequency bands
15 5.5.4 PCB
5.5.5 Screen
Figure 2 – An example of a source gap position that is inserted in replacement of a real-life feeding spring pin
Figure 3 – An example of a microstrip feed line
16 5.5.6 Battery and other larger metallic components
5.5.7 Casing
5.6 SAR calculation using phantom models
5.6.1 General
17 5.6.2 Head phantom model
Figure 4 – Orientation of the mobile phone model prior to positioning against the head or the body phantom
18 Figure 5 – Orientation of the SAM phantom prior to positioning against the DUT shown in Figure 4
Figure 6 – Suggested steps for the cheek position of the DUT against the SAM phantom
19 Figure 7 – Tilt position of the DUT against the SAM phantom
Figure 8 – Example of the full model space that includes the DUT and the SAM phantom for the numerical simulations for the right cheek position
20 5.6.3 Body phantom model
5.6.4 Phantom mesh generation
5.7 Recording of results
Figure 9 – Example of the model space for the DUT/body phantom calculation setup
21 5.8 Peak spatial-average SAR calculation
6 Benchmark models
6.1 General
6.2 Generic metallic box phone for 835 MHz and 1 900 MHz
Figure 10 – The SAM head phantom and the generic metallic box phone
22 Figure 11 – Physical dimensions of the generic metallic box phone
Tables
Table 1 – Dielectric parameters of the materials of the generic phone
23 6.3 GSM/UMTS mobile phone
Figure 12 – Generic GSM/UMTS mobile phone
Table 2 – Peak spatial-average SAR for 1 g and 10 g of the benchmark
24 6.4 Generic multi-band patch antenna mobile phone
Table 3 – Dielectric properties of the materials ofthe generic GSM/UMTS mobile phone
Table 4 – Peak 1 g and 10 g SAR results of the GSM/UMTS mobile phone
25 Figure 13 – Generic mobile phone with integrated multiband patch antenna
Table 5 – Limits of the output parameters for the generic multi-band mobile phone
26 6.5 Neo Free Runner mobile phone
Figure 14 – CAD model of the Neo Free Runner mobile phone
Table 6 – Peak 1 g and 10 g SAR results of the GSM/UMTS mobile phone
27 7 Computational uncertainty
7.1 General considerations
Table 7 – Dielectric properties of the materials of the Neo Free Runner mobile phone
Table 8 – Peak 1 g and 10 g SAR results of the Neo Free Runner mobile phone
28 7.2 Uncertainty of the test setup with respect to simulation parameters
7.3 Uncertainty of the developed numerical model of the DUT
7.4 Validation of the developed numerical model of the DUT
7.5 Uncertainty budget
29 8 Reporting simulation results
8.1 General considerations
8.2 DUT
8.3 Simulated configurations
Table 9 – Overall uncertainty budget
30 8.4 Numerical simulation tool
8.5 Results of the benchmark models
8.6 Uncertainties
8.7 SAR results
31 Annex A (informative) Additional results for the generic mobile phone with integrated multiband antenna
Figure A.1 – Real part of the input impedance of the antenna obtained with three different commercially available software products
32 Figure A.2 – Imaginary part of the input impedance of the antenna obtained with three different commercially available software products
33 Annex B (informative) Additional results for the Neo Free Runner mobile phone
Figure B.1 – Basic version of the Neo Free Runner CAD model
Figure B.2 – Intermediate version of the Neo Free Runner CAD model
34 Figure B.3 – Full version of the Neo Free Runner CAD model
Figure B.4 – Interlaboratory comparison results of the free space reflection coefficient for the basic CAD model
35 Figure B.5 – Interlaboratory comparison results of the free space reflection coefficient for the intermediate CAD model
Figure B.6 – Interlaboratory comparison results of the free space reflection coefficient for the full CAD model
36 Table B.1 – Frequency limits of the −6 dB reflection coefficient for the three different versions of the Neo Free Runner mobile phone
37 Bibliography
38 Français
SOMMAIRE
41 AVANT-PROPOS
44 INTRODUCTION
45 1 Domaine d’application
2 Références normatives
46 3 Termes et définitions
4 Abréviations
47 5 Procédure de simulation
5.1 Généralités
5.2 Considérations générales
5.3 Paramétrages généraux de la maille
48 5.4 Paramètres de simulation
5.5 Modèle de DUT
5.5.1 Généralités
49 5.5.2 Antenne
50 5.5.3 Source RF
Figures
Figure 1 – Exemple d’une antenne multibande constituée de deux éléments métalliques pour les bandes de fréquences GSM et UMTS
51 5.5.4 Carte de circuits imprimés
5.5.5 Écran
Figure 2 – Exemple de position d’un espace de source inséré en lieu et place d’une goupille à ressort d’alimentation réelle
Figure 3 – Exemple d’une ligne d’alimentation à microruban
52 5.5.6 Batterie et autres composants métalliques plus grands
5.5.7 Enveloppe
5.6 Calcul du DAS avec des modèles de fantômes
5.6.1 Généralités
53 5.6.2 Modèle de fantôme de tête
Figure 4 – Orientation du modèle de téléphone mobile préalablement au positionnement par rapport au fantôme de tête ou de corps
54 Figure 5 – Orientation du fantôme du mannequin anthropomorphe spécifique préalablement au positionnement par rapport au DUT représenté à la Figure 4
55 Figure 6 – Proposition d’étapes pour la position «joue» du DUT par rapport au fantôme du mannequin anthropomorphe spécifique
56 Figure 7 – Position «inclinée» du DUT par rapport au fantômedu mannequin anthropomorphe spécifique
Figure 8 – Exemple d’espace de modèle complet comprenant le DUT et le fantôme du mannequin anthropomorphe spécifique pour les simulations numériques dans le cas de la position «joue» droite
57 5.6.3 Modèle de fantôme de corps
5.6.4 Génération de maille du fantôme
5.7 Enregistrement des résultats
Figure 9 – Exemple d’espace de modèle pour la configuration de calcul DUT/fantôme de corps
58 5.8 Calcul du débit d’absorption spécifique maximal moyenné
6 Modèles de référence
6.1 Généralités
6.2 Téléphone à boîtier métallique générique pour des fréquences de 835 MHz et de 1  900 MHz
Figure 10 – Fantôme de tête du mannequin anthropomorphe spécifique et téléphone à boîtier métallique générique
59 Figure 11 – Dimensions physiques du téléphone à boîtier métallique générique
Tables
Tableau 1 – Paramètres diélectriques des matériaux du téléphone générique
60 6.3 Téléphone mobile GSM/UMTS
Figure 12 – Téléphone mobile GSM/UMTS générique
Tableau 2 – Débit d’absorption spécifique maximal moyenné pour les valeurs 1 g et 10 g du modèle de référence
61 6.4 Téléphone mobile générique à antenne à plaque multibande
Tableau 3 – Propriétés diélectriques des matériaux du téléphone mobile GSM/UMTS générique
Tableau 4 – Résultats de DAS maximal moyenné pour 1 g et 10 g du téléphone mobile GSM/UMTS
62 Figure 13 – Téléphone mobile générique avec antenne à plaque multibande intégrée
63 6.5 Téléphone mobile Neo Free Runner
Tableau 5 – Limites des paramètres de sortie du téléphone mobile multibande générique
Tableau 6 – Résultats de DAS maximal moyenné pour 1 g et 10 g du téléphone mobile GSM/UMTS
64 Figure 14 – Modèle CAO du téléphone mobile Neo Free Runner
Tableau 7 – Propriétés diélectriques des matériaux du téléphone mobile Neo Free Runner
65 7 Incertitude de calcul
7.1 Considérations générales
7.2 Incertitude du montage d’essai par rapport aux paramètres de simulation
7.3 Incertitude du modèle numérique développé du DUT
Tableau 8 – Résultats de DAS maximal moyenné pour 1 g et 10 g du téléphone mobile Neo Free Runner
66 7.4 Validation du modèle numérique développé du DUT
7.5 Bilan d’incertitude
8 Compte-rendu des résultats de simulation
8.1 Considérations générales
8.2 DUT
Tableau 9 – Bilan d’incertitude global
67 8.3 Configurations simulées
8.4 Outil de simulation numérique
8.5 Résultats des modèles de référence
8.6 Incertitudes
8.7 Résultats de DAS
68 Annexe A (informative) Résultats supplémentaires pour le téléphone mobile générique avec antenne multibande intégrée
Figure A.1 – Partie réelle de l’impédance d’entrée de l’antenne obtenue avec trois logiciels du commerce différents
69 Figure A.2 – Partie imaginaire de l’impédance d’entrée de l’antenne obtenue avec trois logiciels du commerce différents
70 Annexe B (informative) Résultats supplémentaires pour le téléphone mobile Neo Free Runner
Figure B.1 – Version de base du modèle CAO Neo Free Runner
Figure B.2 – Version intermédiaire du modèle CAO Neo Free Runner
71 Figure B.3 – Version complète du modèle CAO Neo Free Runner
Figure B.4 – Résultats de comparaisons interlaboratoires du coefficient de réflexion en espace libre pour le modèle CAO de base
72 Figure B.5 – Résultats de comparaisons interlaboratoires du coefficient de réflexion en espace libre pour le modèle CAO intermédiaire
Figure B.6 – Résultats de comparaisons interlaboratoires du coefficient de réflexion en espace libre pour le modèle CAO complet
73 Tableau B.1 – Limites de fréquences du coefficient de réflexion de −6 dB pour les trois versions différentes du téléphone mobile Neo Free Runner
74 Bibliographie

Related products

IEEE IEC 62704 3 2017
$52.54